Process Steps for High Quality Si-Based Epitaxial Growth at Low Temperature via RPCVD

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标题	Process Steps for High Quality Si-Based Epitaxial Growth at Low Temperature via RPCVD
网址	https://doi.org/10.3390/ma14133733
DOI	10.3390/ma14133733 doi
其它	期刊：Materials (Basel) 作者：Jung J, Son B, Kam B, Joh YS, Jeong W, Cho S, Lee WJ, Park S 出版日期：2021-07-03
求助人	正直的hh 在 2026-10-09 19:11:55 发布自安徽，悬赏 10 积分
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