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Back-End of Line Compatible Hf0.5Zr0.5O2 With ZrO2 Seed Layer for Enhanced Ferroelectricity |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Yin-Chi Liu; Yu-Chun Li; Ze-Yu Gu; Xin-Long Zhou; Teng Huang; et al 出版日期:2023-05-23 |
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