Layered post-transition-metal dichalcogenide SnGe2N4 as a promising photoelectric material: a DFT study

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标题	Layered post-transition-metal dichalcogenide SnGe2N4 as a promising photoelectric material: a DFT study 层状后过渡金属二硫族化物SnGe2N4作为一种有前途的光电材料的DFT研究相关领域过渡金属光电效应材料科学金属纳米技术结晶学化学光电子学冶金催化作用生物化学
网址	https://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2022/ra/d2ra00935...
DOI	10.1039/d2ra00935h doi
其它	期刊：RSC Advances 作者：Vo Duy Dat; Tuan V. Vu 出版日期：2022-01-01
求助人	一只超在 2024-02-29 16:54:02 发布自吉林，悬赏 10 积分
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