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 Comparative analysis on negative-bias-illumination-stress instabilities between planar- and vertical-channel thin-film transistors using InGaZnO active channels prepared by atomic-layer deposition 原子层沉积InGaZnO有源沟道平面和垂直沟道薄膜晶体管负偏压照明应力不稳定性的比较分析
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Jiwon Kang; Dong-Hee Lee; Young-Ha Kwon; Nak‐Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; et al 出版日期：2024-07-04 |
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