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 Capacitor-less, Long-Retention (>400s) DRAM Cell Paving the Way towards Low-Power and High-Density Monolithic 3D DRAM 无电容、长保持时间（>400s）DRAM单元为低功耗、高密度单片3D DRAM铺平了道路
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期刊：International Electron Devices Meeting 作者：Attilio Belmonte; H. Oh; Nouredine Rassoul; G. L. Donadio; Jerome Mitard; et al 出版日期：2020-12-12 |
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