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Secondary defects of as-grown oxygen precipitates in nitrogen doped Czochralski single crystal silicon
氮掺杂直拉单晶硅中氧析出物的二次缺陷
相关领域
材料科学
硅
扫描电子显微镜
外延
兴奋剂
晶体缺陷
叠加断层
氮气
蚀刻(微加工)
结晶学
位错
氧气
单晶
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分析化学(期刊)
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其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Huan Tuo; Yun Liu; Minghao Li; Rongwang Dai; Hao Wang; et al 出版日期:2023-08-01 |
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