Geometrically designed amorphous oxide semiconductor heterojunction thin-film transistors for enhanced electrical performance and stability

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标题	Geometrically designed amorphous oxide semiconductor heterojunction thin-film transistors for enhanced electrical performance and stability 用于增强电性能和稳定性的几何设计的非晶氧化物半导体异质结薄膜晶体管相关领域材料科学异质结薄膜晶体管阈值电压光电子学无定形固体带材弯曲半导体氧化物锌晶体管场效应图层（电子）氧化铟锡电压纳米技术电气工程冶金化学结晶学工程类
网址	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad0654
DOI	10.35848/1882-0786/ad0654 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Sunghyun Park; Boyeon Park; Woojong Kim; Kunsang Yoo; Yong‐Hoon Kim 出版日期：2023-11-01
求助人	欧科赛的小少年在 2024-08-12 13:19:42 发布自四川，悬赏 10 积分
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