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 Artificial Synapse Based on Oxygen Vacancy Migration in Ferroelectric‐Like C‐Axis‐Aligned Crystalline InGaSnO Semiconductor Thin‐Film Transistors for Highly Integrated Neuromorphic Electronics 用于高度集成神经形态电子学的类铁电C轴取向晶体InGaSnO半导体薄膜晶体管中基于氧空位迁移的人工突触
相关领域
材料科学
神经形态工程学
铁电性
晶体管
光电子学
薄膜晶体管
突触
纳米技术
电气工程
神经科学
人工神经网络
计算机科学
电压
人工智能
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Taebin Lim; Suhui Lee; Jiseob Lee; Hyung‐Jin Choi; Byunglib Jung; et al 出版日期：2022-12-21 |
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