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 Atomic Layer Deposition of HfO2 Films Using Tetrakis(1-(N,N-dimethylamino)-2-propoxy)hafnium [Hf(dmap)4] for Advanced Gate Dielectrics Applications 用于高级栅极电介质应用的四（1-（N，N-二甲氨基）-2-丙氧基）铪[Hf(dmap)4]原子层沉积HfO2薄膜
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期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Akihiro Nishida; Tsukasa Katayama; Yasutaka Matsuo 出版日期：2023-09-16 |
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