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 Vertical p-GaN/n-Ga2O3 heterojunction diodes enabled by PAMBE PAMBE实现的垂直p-GaN/n-Ga2O3异质结二极管
相关领域
异质结
光电子学
二极管
宽禁带半导体
材料科学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Frank P. Kelly; Matthew M. Landi; Kyekyoon Kim 出版日期：2025-04-28 |
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