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标题
Trap states in enhancement-mode double heterostructures AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel layer thicknesses
不同GaN沟道层厚度的增强型双异质结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的陷阱态
相关领域
跨导 材料科学 异质结 宽禁带半导体 深能级瞬态光谱 光电子学 电容 饱和电流 电子迁移率 分析化学（期刊） 晶体管 电压 化学 硅 电极 电气工程 工程类 物理化学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1063/1.4928477
DOI
10.1063/1.4928477 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Yunlong He; Peixian Li; Chong Wang; Xiangdong Li; Shenglei Zhao; et al
出版日期：2015-08-10
求助人
大洋葱 在 2026-01-01 16:53:05 发布自福建，悬赏 10 积分
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