Strain reduction and crystal improvement of an InGaN/GaN quantum-well light-emitting diode on patterned Si (110) substrate

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标题	Strain reduction and crystal improvement of an InGaN/GaN quantum-well light-emitting diode on patterned Si (110) substrate
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/1.48243...
DOI	10.1063/1.4824351 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Chih-Yen Chen; Zhan Hui Liu; Chun-Han Lin; Chia-Ying Su; Ta-Wei Chang; et al 出版日期：2013-10-04
求助人	科研cc 在 2026-01-21 21:05:15 发布自福建，悬赏 10 积分
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