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A Study on the Impact of Dislocation Density on Leakage Current in Vertical GaN-on-GaN p-n Diodes 位错密度对垂直GaN-on-GaN p-n二极管漏电流影响的研究
相关领域
二极管
泄漏(经济)
材料科学
氮化镓
光电子学
物理
纳米技术
宏观经济学
经济
图层(电子)
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Siwei Li; Burcu Ercan; Chenhao Ren; Hirotaka Ikeda; Srabanti Chowdhury 出版日期:2022-07-11 |
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