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标题
Assessment of dislocation reduction on 100 mm diameter bulk GaN grown by the NEAT method
通过NEAT方法生长的100 mm直径块体GaN上位错减少的评估
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位错 材料科学 还原（数学） 腐蚀坑密度 蚀刻（微加工） 泄漏（经济） 衍射 光电子学 结晶学 光学 纳米技术 复合材料 化学 几何学 数学 图层（电子） 物理 宏观经济学 经济
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac5095
AI链接 osti.govdoi.org
DOI
10.35848/1347-4065/ac5095 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Daryl Key; Benjamin Jordan; Ed Letts; Tadao Hashimoto
出版日期：2022-01-31
求助人
传奇3 在 2025-12-06 07:32:10 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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