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 In‐situ doping of and trench‐refill with LPCVD‐poly‐silicon (I). (PH3/SiH4) ratio as a process‐controlling parameter LPCVD-多晶硅的原位掺杂和沟槽再填充（I）。(PH3/SiH4)比率作为工艺控制参数
相关领域
沟槽
薄脆饼
兴奋剂
材料科学
硅
化学气相沉积
硅烷
图层（电子）
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光电子学
纳米技术
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几何学
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期刊：Crystal Research and Technology 作者：Hans‐Carsten Kühne; H. Harnisch; I. Flohr; W. Bertoldi 出版日期：1989-08-01 |
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