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标题
Effect of Hydrogen on Defects of AlGaN/GaN HEMTs Characterized by Low-Frequency Noise
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DOI
10.1109/ted.2018.2803443 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Y. Q. Chen; Y. C. Zhang; Y. Liu; X. Y. Liao; Y. F. En; et al
出版日期:2018
求助人
yg 在 2026-04-18 20:18:37 发布自上海,悬赏 10 积分
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