First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics

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标题	First-principles studies of the intrinsic effect of nitrogen atoms on reduction in gate leakage current through Hf-based high-k dielectrics
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.1899232
DOI	10.1063/1.1899232 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：N. Umezawa; K. Shiraishi; T. Ohno; H. Watanabe; T. Chikyow; et al 出版日期：2005-03-31
求助人	榴莲麦旋风在 2026-06-26 15:35:57 发布自北京，悬赏 10 积分
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