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 Fully CMOS compatible 3D vertical RRAM with self-aligned self-selective cell enabling sub-5nm scaling 完全CMOS兼容的3D垂直RRAM，具有自对准自选择单元，可实现亚5nm缩放
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期刊： 作者：Xiaoxin Xu; Qing Luo; Tiancheng Gong; Hangbing Lv; Shibing Long; et al 出版日期：2016-06-01 |
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