Effect of Substrate Surface Finish and Proximity Distance on Compositional Shift of InGaAsP Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy in a High-Speed-Rotation Multiple-Substrate Reactor

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标题	Effect of Substrate Surface Finish and Proximity Distance on Compositional Shift of InGaAsP Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy in a High-Speed-Rotation Multiple-Substrate Reactor 衬底表面光洁度和邻近距离对InGaAsP金属有机气相外延成分变化的影响相关领域外延金属有机气相外延波长基质（水族馆）薄脆饼蓝移材料科学光电子学光致发光相（物质）化学气相沉积光学化学纳米技术图层（电子）海洋学有机化学物理地质学
网址	https://doi.org/10.7567/jjap.50.085601
DOI	10.7567/jjap.50.085601 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Eiichi Shimizu; Hajime Momoi 出版日期：2011-08-01
求助人	biog12 在 2023-09-13 08:14:44 发布自江苏，悬赏 10 积分
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