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标题
Study of Normally-Off AlGaN/GaN HEMT with Microfield Plate for Improvement of Breakdown Voltage
微场板常关AlGaN/GaN HEMT提高击穿电压的研究
相关领域
高电子迁移率晶体管 电场 击穿电压 材料科学 光电子学 电压 晶体管 电气工程 氮化镓 工程类 物理 纳米技术 图层（电子） 量子力学
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/12/11/1318/pdf?version=163635...
AI链接 mdpi.com mdpi.com doaj.org nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi12111318 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Xiaoyu Xia; Zhiyou Guo; Huiqing Sun
出版日期：2021-10-27
求助人
快乐的小叮当 在 2025-10-12 07:20:43 发布自河南，悬赏 10 积分
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