| 标题 |
 Influence of carrier trapping on radiation detection properties in CVD grown 4H-SiC epitaxial layers with varying thickness up to 250 µm 载流子俘获对CVD生长厚度达250 μ m的4H-SiC外延层辐射探测性能的影响
相关领域
外延
俘获
材料科学
肖特基二极管
扩散
化学气相沉积
肖特基势垒
载流子寿命
探测器
光电子学
载流子
深能级瞬态光谱
分析化学（期刊）
电子
兴奋剂
光学
化学
硅
纳米技术
物理
热力学
生物
二极管
量子力学
色谱法
图层（电子）
生态学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Joshua W. Kleppinger; Sandeep K. Chaudhuri; OmerFaruk Karadavut; Ritwik Nag; Krishna C. Mandal 出版日期：2022-01-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Nole
cdercder
OK
dde
故意的以亦
xing_xing
Kao
DOC_XIONG
aaaa
馨馨的科科
Juvenilesy
lailai
Dean
长安
超帅的笑蓝
共产主义战士
Judles
junhuihe
学术文献互助
皖公网安备34019202002308
