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标题
Influence of carrier trapping on radiation detection properties in CVD grown 4H-SiC epitaxial layers with varying thickness up to 250 µm
载流子俘获对CVD生长厚度达250 μ m的4H-SiC外延层辐射探测性能的影响
相关领域
外延 俘获 材料科学 肖特基二极管 扩散 化学气相沉积 肖特基势垒 载流子寿命 探测器 光电子学 载流子 深能级瞬态光谱 分析化学（期刊） 电子 兴奋剂 光学 化学 硅 纳米技术 物理 热力学 生物 二极管 量子力学 色谱法 图层（电子） 生态学
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126532
AI链接 sciencedirect.com osti.gov osti.govdoi.org
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2022.126532 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Joshua W. Kleppinger; Sandeep K. Chaudhuri; OmerFaruk Karadavut; Ritwik Nag; Krishna C. Mandal
出版日期：2022-01-22
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liuxch5 在 2025-08-19 06:57:03 发布，悬赏 10 积分
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