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标题
InGaN Resonant Microcavity With n+-Porous-GaN/p+-GaN Tunneling Junction
具有n+-多孔-GaN/p+-GaN隧道结的InGaN谐振微腔
相关领域
电致发光 光电子学 量子隧道 发光二极管 材料科学 蚀刻（微加工） 二极管 消灭 氮化镓 物理 图层（电子） 纳米技术 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2021.3111616
DOI
10.1109/led.2021.3111616 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Chia‐Feng Lin; Yuting Zhang; Chengjie Wang; Yiyun Chen; Guo-Yi Shiu; et al
出版日期：2021-09-10
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好好 在 2025-07-29 22:37:18 发布，悬赏 10 积分
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