| 标题 |
 Characteristics in InGaAs/InP avalanche photodiodes with separated absorption and multiplication regions 吸收区和倍增区分离的InGaAs/InP雪崩光电二极管的特性
相关领域
雪崩光电二极管
暗电流
击穿电压
光电流
量子隧道
光电子学
光电二极管
材料科学
电场
雪崩二极管
吸收（声学）
物理
电压
光学
光电探测器
量子力学
探测器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Journal of Quantum Electronics 作者：Nobuhiko Susa; H. Nakagome; H. Ando; H. Kanbe 出版日期：1981-02-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
jenningseastera
pluto
平常的毛豆
qiao
忐忑的黑猫
科研小民工
午见千山
森鹿
HEAUBOOK
余味
冰魂
bc
乐乐
CyrusSo524
827584450
HEIKU
Rye227
桐桐
归尘
cdercder
皖公网安备34019202002308
