Characteristics in InGaAs/InP avalanche photodiodes with separated absorption and multiplication regions

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标题	Characteristics in InGaAs/InP avalanche photodiodes with separated absorption and multiplication regions 吸收区和倍增区分离的InGaAs/InP雪崩光电二极管的特性相关领域雪崩光电二极管暗电流击穿电压光电流量子隧道光电子学光电二极管材料科学电场雪崩二极管吸收（声学）物理电压光学光电探测器量子力学探测器
网址	https://doi.org/10.1109/jqe.1981.1071059
DOI	10.1109/jqe.1981.1071059 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Quantum Electronics 作者：Nobuhiko Susa; H. Nakagome; H. Ando; H. Kanbe 出版日期：1981-02-01
求助人	一木张在 2025-03-06 22:50:28 发布自美国，悬赏 10 积分
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