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Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices
GaN基结构中的深陷阱对GaN器件性能的影响
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网址
https://doi.org/10.1016/j.mser.2015.05.001
DOI
10.1016/j.mser.2015.05.001 doi
其它 期刊：Materials Science and Engineering R
作者：A. Y. Polyakov; In‐Hwan Lee
出版日期：2015-05-27
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leon 在 2025-05-06 17:06:43 发布自北京，悬赏 10 积分
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