Trap Depth Engineering of SrSi2O2N2:Ln2+,Ln3+ (Ln2+ = Yb, Eu; Ln3+ = Dy, Ho, Er) Persistent Luminescence Materials for Information Storage Applications

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标题	Trap Depth Engineering of SrSi2O2N2:Ln2+,Ln3+ (Ln2+ = Yb, Eu; Ln3+ = Dy, Ho, Er) Persistent Luminescence Materials for Information Storage Applications SrSi2O2N2：Ln2+，Ln3+（Ln2+=Yb，Eu；Ln3+=Dy，Ho，Er）持续发光材料的陷阱深度工程相关领域发光材料科学热释光荧光粉持续发光分析化学（期刊）光电子学化学色谱法
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.7b17271
DOI	10.1021/acsami.7b17271 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Yixi Zhuang; Ying Lv; Le Wang; Wenwei Chen; Tianliang Zhou; et al 出版日期：2017-12-26
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