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标题
A Multi-WL Approach to Suppress Gate-Induced Drain Leakage, Floating Body Effect, and Row Hammer Effect in Array Transistor of 4F2 DRAM and 3D Stackable DRAM
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DOI
10.1109/iedm50854.2024.10873338 doi
其它 期刊:International Electron Devices Meeting
作者:Wei-Chen Chen; H. Lue; Ming-Hung Wu; Xi-Wei Lin; Ko-Hsin Lee; et al
出版日期:2024-12-07
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