| 标题 |
Field-Effect Transistor Based on MoSi$_2$N$_4$ and WSi$_2$N$_4$ Monolayers Under Biaxial Strain: A Computational Study of the Electronic Properties |
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| DOI |
10.48550/arxiv.2112.04171
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| 其它 |
期刊:arXiv 作者:Nayereh Ghobadi; Manouchehr Hosseini; Shoeib Babaee Touski 出版日期:2021-01-01 |
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(2025-6-4)