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标题
Temperature Dependence and Postirradiation Annealing Response of the $1/f$ Noise of 4H-SiC MOSFETs
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DOI
10.1109/ted.2013.2263426 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Cher Xuan Zhang; Xiao Shen; En Xia Zhang; Daniel M. Fleetwood; Ronald D. Schrimpf; et al
出版日期:2013-07-01
求助人
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