Ion migration and interface engineering in emerging halide perovskite technologies for enhanced stability, mobility, and device optimization in FETs and memory devices

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标题	Ion migration and interface engineering in emerging halide perovskite technologies for enhanced stability, mobility, and device optimization in FETs and memory devices
网址	https://doi.org/10.1016/j.jsamd.2025.101014
DOI	10.1016/j.jsamd.2025.101014 doi
其它	期刊：Journal of Science: Advanced Materials and Devices 作者：Hyojung Kim 出版日期：2025
求助人	张文乐在 2026-05-31 00:21:25 发布自江西，悬赏 10 积分
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