| 标题 |
 Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics 相关领域
材料科学
可靠性（半导体）
碳化硅
压力（语言学）
俘获
光电子学
MOSFET
阈值电压
栅氧化层
晶体管
降级（电信）
硅
金属浇口
陶瓷
逻辑门
功率半导体器件
工程物理
负偏压温度不稳定性
宽禁带半导体
结温
功率MOSFET
氧化物
电子工程
和大门
热的
功率（物理）
电气工程
表征（材料科学）
接口（物质）
电压
电荷（物理）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
OsamaKareem
GingerF
张欢馨
干净的琦
小安
Nexus
科研狗
433
风声3492881045
sinmon
memory
arniu2008
Mic
wulanshu
lalala
AllRightReserved
Richard
Twonej
iNk
皖公网安备34019202002308
