| 标题 |
 28.2 A High-Performance 1Tb 3b/Cell 3D-NAND Flash with a 194MB/s Write Throughput on over 300 Layers $\mathsf{i}$ 28.2高性能1Tb 3b/单元3D-NAND闪存，在300多个层上具有194MB/s的写入吞吐量$\mathsf{i}$
相关领域
与非门
闪光灯（摄影）
计算机科学
赛道记忆
吞吐量
弦（物理）
计算机硬件
算法
操作系统
物理
逻辑门
计算机存储器
无线
光学
半导体存储器
内存刷新
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Bvunarvul Kim; Seungpil Lee; Beomseok Hah; Kanawoo Park; Yongsoon Park; et al 出版日期：2023-02-19 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Nole
DW
无极微光
v0id
随风沙ZYX
Dean
秋风
aajhajkahna
OK
那时花开
DOC_XIONG
cocohan
Lbw
火星上笑珊
dde
aaaa
呵呵呵
清爽老九
能不能学术一点
皖公网安备34019202002308
