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Theoretical investigations on the confinement properties of InAlN/GaN/AlGaN heterostructures employing AlxGa1-xN as back-barrier AlxGa1-xN作为后势垒的InAlN/GaN/AlGaN异质结构约束特性的理论研究
相关领域
异质结
材料科学
光电子学
凝聚态物理
工程物理
物理
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期刊:The European Physical Journal Applied Physics 作者:Dingding Shi; Jing Yang; Jing Zhao; Mei-Lan Hao; Lirong Li 出版日期:2025-02-11 |
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