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25.4 A 20nm 6GB Function-In-Memory DRAM, Based on HBM2 with a 1.2TFLOPS Programmable Computing Unit Using Bank-Level Parallelism, for Machine Learning Applications |
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期刊:2021 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 作者:Young-Cheon Kwon; Suk Han Lee; Jaehoon Lee; Sang-Hyuk Kwon; Je Min Ryu; et al 出版日期:2021-02-13 |
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