Influence of HCl concentration in source solution and growth temperature on formation of α-Ga2O3 film via mist-CVD process

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标题	Influence of HCl concentration in source solution and growth temperature on formation of α-Ga2O3 film via mist-CVD process
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/acc9cf
DOI	10.35848/1347-4065/acc9cf doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Takeru Wakamatsu; Hitoshi Takane; Kentaro Kaneko; Tsutomu Araki; Katsuhisa Tanaka 出版日期：2023-04-03
求助人	zht 在 2026-10-22 14:45:23 发布自福建，悬赏 10 积分
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