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Effects of electron doping level on minority carrier lifetimes in n-type mid-wave infrared InAs/InAs1−xSbx type-II superlattices
电子掺杂水平对n型中波红外InAs/InAs1−xSbxⅡ型超晶格少数载流子寿命的影响
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期刊:Applied physics letters 作者:Emil Kadlec; B. V. Olson; Michael Goldflam; J. K. Kim; John F. Klem; et al 出版日期:2016-12-26 |
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