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 Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors With Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation 具有自对准高k金属栅极和小有效栅极长度变化的垂直夹层栅极全能场效应晶体管
相关领域
材料科学
蚀刻（微加工）
金属浇口
光电子学
晶体管
纳米线
场效应晶体管
各向同性腐蚀
逻辑门
纳米技术
图层（电子）
栅氧化层
电气工程
工程类
电压
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xiaogen Yin; Hong Yang; Lu Xie; X. Z. Ai; Y. B. Zhang; et al 出版日期：2019-11-21 |
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