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  Digital and Analog Switching Characteristics of InGaZnO Memristor Depending on Top Electrode Material for Neuromorphic System 神经形态系统InGaZnO忆阻器基于顶部电极材料的数模开关特性
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期刊：IEEE Access 作者：Jun Tae Jang; Jungi Min; Yeongjin Hwang; Sung-Jin Choi; Dong Myong Kim; et al 出版日期：2020-10-22 |
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