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Field‐Induced n‐Doping of Black Phosphorus for CMOS Compatible 2D Logic Electronics with High Electron Mobility
高电子迁移率CMOS兼容二维逻辑电子器件中黑磷的场致n掺杂
相关领域
材料科学
兴奋剂
电子迁移率
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物理
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其它 |
期刊:Advanced functional materials 作者:Yi‐Jun Xu; Jian Yuan; Kai Zhang; Yuanjun Hou; Qiu Sun; et al 出版日期:2017-08-11 |
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