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Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics 相关领域
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Masataka Higashiwaki; Kohei Sasaki; Takafumi Kamimura; Man Hoi Wong; Daivasigamani Krishnamurthy; et al 出版日期:2013-09-16 |
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