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 Influence of the doping type and level on the morphology of porous Si formed by galvanic etching 相关领域
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期刊：Semiconductors 作者：O. V. Pyatilova; S. A. Gavrilov; Yu. I. Shilyaeva; A. A. Pavlov; Yu. P. Shaman; A. A. Dudin 出版日期：2017-02-09 |
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