Low dark current and internal gain mechanism of GaN MSM photodetectors fabricated on bulk GaN substrate

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标题	Low dark current and internal gain mechanism of GaN MSM photodetectors fabricated on bulk GaN substrate
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003811011...
DOI	10.1016/j.sse.2010.12.005 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：Feng Xie; Hai Lu; Xiangqian Xiu; Dunjun Chen; Ping Han; et al 出版日期：2011-01-12
求助人	CaoRouLi 在 2026-04-22 19:13:54 发布自江苏，悬赏 10 积分
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