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  Impact of Al profile in high-Al content AlGaN/GaN HEMTs on the 2DEG properties 相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
异质结
光电子学
阻挡层
化学气相沉积
费米气体
晶体管
透射电子显微镜
宽禁带半导体
电子迁移率
金属有机气相外延
图层（电子）
分析化学（期刊）
电子
化学
纳米技术
外延
电气工程
电压
物理
量子力学
色谱法
工程类
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Alexis Papamichail; Axel R. Persson; Steffen Richter; V. Stanishev; Nerijus Armakavicius; et al 出版日期：2024-09-16 |
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