Oxygen‐Scavenging Effects of Added Ti Layer in the TiN Gate of Metal‐Ferroelectric‐Insulator‐Semiconductor Capacitor with Al‐Doped HfO2 Ferroelectric Film

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标题	Oxygen‐Scavenging Effects of Added Ti Layer in the TiN Gate of Metal‐Ferroelectric‐Insulator‐Semiconductor Capacitor with Al‐Doped HfO2 Ferroelectric Film
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/aelm.2022003...
DOI	10.1002/aelm.202200310 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Yong Bin Lee; Beom Yong Kim; Hyeon Woo Park; Suk Hyun Lee; Minsik Oh; et al 出版日期：2022-06-23
求助人	zhang 在 2026-06-10 13:17:48 发布自浙江，悬赏 10 积分
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