| 标题 |
 Electronic Properties of theSi/SiO2Interface from First Principles 相关领域
谱线
Atom（片上系统）
原子物理学
物理
能量（信号处理）
材料科学
氧气
氧化物
计算机科学
天文
量子力学
嵌入式系统
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Physical Review Letters 作者：J. B. Neaton; D. A. Muller; N. W. Ashcroft 出版日期：2002-07-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
坚强冰枫
aaaa
极限001
乐空思
null
秋风
laq00519
v0id
xuan
张兵
Elsevier大王
滴滴答答
七听
aajhajkahna
小荷才露尖尖角
Gp1983
初景
OK
taojqtony
皖公网安备34019202002308
