Simulation study on electrical properties of p-GaN gate normally-off HEMT devices affected by Al mole fraction in AlGaN barrier layer

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标题	Simulation study on electrical properties of p-GaN gate normally-off HEMT devices affected by Al mole fraction in AlGaN barrier layer
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/2355/1/...
DOI	10.1088/1742-6596/2355/1/012073 doi
其它	期刊：Journal of Physics: Conference Series 作者：Songming Xiong; Wenxian Huang; Ali Hassan; Rong Zhong 出版日期：2022-10-31
求助人	culiucabbage 在 2026-03-15 22:32:22 发布自江苏，悬赏 10 积分
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