Physical reservoirs based on MoS 2 –HZO integrated ferroelectric field-effect transistors for reservoir computing systems

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标题	Physical reservoirs based on MoS 2 –HZO integrated ferroelectric field-effect transistors for reservoir computing systems
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2024/NH/D3NH00524K
DOI	10.1039/d3nh00524k doi
其它	期刊：Nanoscale Horizons 作者：Lingqi Li; Heng Xiang; Haofei Zheng; Yu-Chieh Chien; Ngoc Thanh Duong; et al 出版日期：2024-03-11
求助人	张小慧在 2026-09-18 16:14:45 发布自上海，悬赏 10 积分
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