Positive Bias Temperature Instability (PBTI) in n- and p-channel polysilicon thin-film transistors (TFTs) for high-voltage applications

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标题	Positive Bias Temperature Instability (PBTI) in n- and p-channel polysilicon thin-film transistors (TFTs) for high-voltage applications
网址	https://doi.org/10.2139/ssrn.5639720
DOI	10.1016/j.sse.2026.109384 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：B. Kaczer; Sahar Faramarzi; L. Panarella; F. Berghmans; J. Franco; et al 出版日期：2026-06-01
求助人	心印在 2026-07-29 20:58:42 发布自安徽，悬赏 10 积分
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