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 Impact of proton-induced total ionizing dose effects on electrical characteristics and safe operating area of trench field-stop IGBT devices 质子诱导总电离剂量效应对沟槽场停IGBT器件电特性和安全工作区的影响
相关领域
沟槽
绝缘栅双极晶体管
电气工程
质子
材料科学
光电子学
工程类
物理
电压
核物理学
纳米技术
图层（电子）
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Zhenhua Liu; Xiaofeng Huang; Lihua Mo; Zhiliang Hu; Mao Lin; et al 出版日期：2024-01-25 |
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