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标题
Adjusting Electronic Properties of Janus SHfAZ2 (A═Si,Ge; Z═N, P, As) via Strain Engineering and an Electric Field
通过应变工程和电场调节Janus SHfAZ2（A=Si，Ge；Z=N，P，As）的电子性质
相关领域
单层 杰纳斯 材料科学 半导体 电场 带隙 应变工程 凝聚态物理 拉伤 电子结构 直接和间接带隙 光电子学 纳米技术 硅 物理 内科学 医学 量子力学
网址
https://doi.org/10.1002/adts.202300810
DOI
10.1002/adts.202300810 doi
其它 期刊：Advanced Theory and Simulations
作者：Zhen Gao; Yao He; Kai Xiong
出版日期：2024-01-28
求助人
Alexander L 在 2025-12-06 21:59:21 发布自山东，悬赏 10 积分
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