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[求助补充材料]
  First-principles calculation of intrinsic point defects and doping performance of MoSi<sub>2</sub>N<sub>4</sub> 相关领域
兴奋剂
材料科学
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半导体
杂质
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期刊：Chinese Physics 作者：Siyuan Xu; Zhaofu Zhang; Jun Wang; Xuefei Liu; Yuzheng Guo 出版日期：2024-01-01 |
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